
発振器用インバータIC ( 4069UB )

40〜70Hzの矩形波発振器を構成するために使用しています。

+5V電圧作成用レギュレータIC ( 78L05 )

+12Vから安定した+5Vを作るためのICです。

ICソケット

4069UBを搭載するために使用しています。ICをプリント基板に直に取り付けてもOKです。

FETドライブ用トランジスタ ( 2SC1815 )

4069UBを使用して作った矩形波でMOS FETをドライブするためのトランジスタです。4069UBの出力はTTLレベル(0V-5V)ですが、FETを制御するために0V-12Vの電圧に変換しています。

周波数調整用可変抵抗器

発振周波数を調整するための可変抵抗器です。

発振器用コンデンサ

2.2μFのタンタルコンデンサを使用しました。特にタンタルコンデンサである必要はありません。
電解コンデンサでもOKです。

抵抗器

1/8Wのカーボン皮膜タイプを使用しました。

電源バイパス用積層セラミックコンデンサ

電源の高周波成分を接地に流すために使用しています。

電源バイパス用電解コンデンサ

電源の低周波成分を接地に流すために使用しています。
コンデンサには等価直列抵抗値(ESR:Equivalent Series Resistance)の少ないものを使用します。

配線端子

電源線、FETドライブ線などを接続するために使用しています。

プリント基板

ユニバーサルプリント基板をカットして使用しました。

金属スタッド

プリント基板をケースに取り付けるために使用しています。

トランス

1次側が100V、2次側が12V−10Aのセンタータップ無しのトランスを使用しました。
大きさは幅100mm、高さ90mm、奥行100mmです。重量は約2.5Kgあります。

パワーMOSFET ( 2SJ471 )

PチャネルMOS FETです。
ドレイン電流の最大許容値は30Aあります。
FETがON状態のときのドレイン−ソース間の抵抗値は25mΩです。
ですから、ON状態で10Aの電流が流れた場合の電力損失は2.5Wです。

パワーMOSFET ( 2SK2956 )

NチャネルMOS FETです。
ドレイン電流の最大許容値は50Aあります。
FETがON状態のときのドレイン−ソース間の抵抗値は7mΩです。
ですから、ON状態で10Aの電流が流れた場合の電力損失は0.7Wです。

放熱器

FETはデジタル的にON/OFFさせて使用しているので、比較的FETで消費する電力は少ないです。
念のために少し大きめの放熱器を使用しました。
サイズは100mm x 100mm x 17mmです。

フューズ

過大な入力電流が流れた場合の保護のために必ず付けて下さい。
発振器が停止すると入力電流のスイッチングが行われなくなり、トランスの2次側に大きな電流が流れます。
交換が容易なので管ガラスタイプのフューズを使用しました。
15Aのものを使いました。

ケース

一番大きな部品はトランスなので、その大きさに合わせてケースを選びました。
リード社製のRC-3というもので、幅150mm、高さ100mm、奥行130mmです。

DC入力用プラグ

DC入力には極性があるので逆に接続されないようなプラグを使用しました。

AC出力用コンセント

AC出力には通常のコンセントを使用しました。

線材

12Vの大電流が流れる配線には15A用の線材を使いました。

ハンドル

ケースの上部には持ち運びのためにハンドルを付けました。

中継端子

DC12Vの線を固定するために使用します。

ブッシュ

入力の線材の被服が傷かないようにするために使用します。

端子カバー

線材をハンダ付けした部分のカバーです。

マジックテープ

装置を使用しない場合、入力のコードを束ねて固定するために使用しています。
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